30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package **Part Number:** IRL8113SPBF  
**Manufacturer:** IR (International Rectifier)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **R_DS(ON) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The IRL8113SPBF is a high-performance N-Channel HEXFET® Power MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is optimized for applications requiring high power density and efficiency.