30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package The IRL8113S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRL8113S  

### **Specifications:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 49A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 6.5mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 8.0mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRL8113S is a high-performance N-channel power MOSFET designed for low-voltage, high-current switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET MOSFET technology for low conduction losses  
- Low gate charge for fast switching  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.