30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package **Part Number:** IRL8113PBF  
**Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10V:** 5.5mΩ  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4.5V:** 7.5mΩ  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (Min) – 2.0V (Max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under inductive loads.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Ensures reliable operation in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly component.  
- **Applications:** DC-DC converters, motor control, power management, and other high-current switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRL8113PBF MOSFET.