30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package Part **IRL8113** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The **IRL8113** is a **N-channel HEXFET Power MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces switching losses and improves drive efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged operating conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Low Thermal Resistance:** Improves heat dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Electrical Specifications (Typical Values):**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 60A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** Higher than continuous rating (exact value depends on conditions).  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** Varies with thermal conditions.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management in Computing & Telecom  
- Battery Protection Circuits  
- Synchronous Rectification  

For exact values, refer to the **official datasheet** from Infineon Technologies.