**Part Number:** IRL7833STRRPBF  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 160A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 640A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

**Descriptions and Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency in power applications.  
- Optimized for high current switching applications.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Source: Infineon Technologies datasheet)