**Part Number:** IRL7833PBF  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

**Descriptions and Features:**  
- Advanced HEXFET MOSFET technology for high efficiency and reliability.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability (140A continuous).  
- Fast switching performance for power applications.  
- Lead-free and RoHS compliant (PBF suffix).  
- Suitable for high-power switching applications, motor control, and power supplies.  

(Source: International Rectifier datasheet for IRL7833PBF)