### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_G):** 170nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8900pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRL7833 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-current applications. It features ultra-low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency systems.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses  
- **Ultra-Low R_DS(on)** for high efficiency  
- **High Current Handling** capability  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

(Source: International Rectifier datasheet)