200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL640PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRL640PBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-frequency inverters  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.