100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRL540NL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Gate Charge (Q_g):** 48nC (typical at V_DS = 50V, V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  

### **Description:**
The IRL540NL is a HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and rugged performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high-speed switching.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures predictable performance in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRL540NL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRL540NL is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power management in various circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.