IRL540NL

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRL540NL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Gate Charge (Q_g):** 48nC (typical at V_DS = 50V, V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  

### **Description:**
The IRL540NL is a HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and rugged performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high-speed switching.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures predictable performance in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package