100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL540N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 22A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 430pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRL540N is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is part of IR's HEXFET series, optimized for efficiency and reliability in high-power circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in switching applications  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive loads  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.