100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL540N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 22A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 430pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  

### **Descriptions:**  
- The IRL540N is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is part of IR's HEXFET family, which provides efficient power handling with fast switching speeds.  
- Suitable for use in DC-DC converters, motor control, and other high-power switching circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- **Dynamic dV/dt Rating:** High resistance to voltage transients.  
- **Fully Avalanche Rated:** Can handle inductive switching conditions.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed power switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic signals (though higher V_GS improves R_DS(on)).  

This information is sourced from the official International Rectifier datasheet for the IRL540N.