100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL530S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRL530S is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for use in DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable operation in switching circuits.  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.