100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL530NS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 0.16Ω @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.22Ω @ V_GS = 5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Description:**  
The IRL530NS is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for 5V Gate Drive:** Compatible with logic-level drive circuits.  
- **TO-262 Package:** Provides efficient thermal performance and easy mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.