100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL530NPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRL530NPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 5V drive)  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  

### **Applications:**  
- Switching regulators  
- Motor control  
- Power supplies  
- DC-DC converters  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.