100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL530N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRL530N is an N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.16Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive** (can be driven by 5V signals).  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation.**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant.**  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole Mounting)  

This information is sourced from the official International Rectifier (IR) datasheet for the IRL530N MOSFET.