100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL520S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRL520S is a HEXFET® power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Logic-Level Gate Drive** (can be driven by 5V logic)  
- **Low Thermal Resistance** for improved heat dissipation  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat sinking  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.