100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL520NSTRL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRL520NSTRL  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 380pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRL520NSTRL is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.