100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL520N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 380pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Rise Time (t_r):** 47ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRL520N is a HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and ruggedized performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is sourced from International Rectifier's official documentation.