100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL510S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRL510S is a **HEXFET®** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  
- The device is **avalanche-rated**, ensuring robustness in rugged environments.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Low Gate Charge** for improved switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for reliability in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation** (suitable for linear applications).  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.