55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL3705Z is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRL3705Z  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt:** Ensures stable performance in switching circuits.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic signals (fully enhanced at V_GS = 4.5V).  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

The **0913** marking on the part likely refers to a date or batch code, but specific details about this marking are not provided in the standard datasheet.  

For detailed performance curves and application notes, refer to the official **IRL3705Z datasheet** from International Rectifier (now part of Infineon Technologies).

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL3705Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRL3705Z is a **N-channel HEXFET Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.022Ω (max) at V_GS = 20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2500pF (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low conduction losses.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in PWM applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for 175°C Operation** for high-temperature reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.