55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The **IRL3705NSTRLPBF** is a power MOSFET manufactured by **IRF (International Rectifier, now part of Infineon Technologies)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.008Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Optimized for switching power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- Features low gate charge and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low R_DS(on) for high efficiency.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Ensures reliable operation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed datasheet information, refer to the official IRF/Infineon documentation.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL3705NSTRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **IR (Infineon Technologies)**  

### **Part Number:**  
- **IRL3705NSTRLPBF**  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Technology:** Advanced Process Technology  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.008Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **Power Management**  
- **Motor Control**  
- **DC-DC Converters**  
- **Switching Power Supplies**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.