55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL3705N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 37A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRL3705N is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology:** Provides low conduction losses and high efficiency.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes power dissipation in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures stable performance in linear applications.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.