20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL3402 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRL3402  

### **Description:**  
The IRL3402 is a **N-Channel HEXFET Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low-voltage, high-current applications with low on-resistance and fast switching characteristics.

### **Key Features:**  
- **VDSS (Drain-Source Voltage):** 20V  
- **RDS(on) (Drain-Source On-Resistance):**  
  - 4.5 mΩ (max) @ VGS = 10V  
  - 6.0 mΩ (max) @ VGS = 5V  
  - 9.0 mΩ (max) @ VGS = 4.5V  
- **ID (Continuous Drain Current):** 75A @ TC = 25°C  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W @ TC = 25°C  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) to 2.0V (max)  
- **Low Gate Charge (Qg):** 110nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated (EAS):** 320mJ  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Battery Protection Circuits  
- High-Current Switching  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet for the IRL3402 MOSFET.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL3402 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (formerly International Rectifier)  

### **Part Number:**  
IRL3402  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±16V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management**  
- **Battery Protection Circuits**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.