30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL3303S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRL3303S is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current capability (140A continuous).  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Optimized for high-efficiency power conversion.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.