20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL3302 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 25A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 100A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035Ω (max at VGS = 10V)  
- **Power Dissipation (PD):** 50W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
### **Description:**  
The IRL3302 is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic signals.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
This information is based on Fairchild's datasheet for the IRL3302 MOSFET.