20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The **IRL3102STRL** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:
### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 61A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 240A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±16V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 79W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
### **Description:**
- The **IRL3102STRL** is a **HEXFET® Power MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features **low on-resistance** and **high current handling capability**, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  
- The device is housed in a **D2PAK (TO-263) surface-mount package**, optimized for thermal performance.  
### **Features:**
- **Advanced Process Technology** for low conduction losses.  
- **Ultra-Low On-Resistance (RDS(on))** for improved efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation** (suitable for hot-swap and soft-start applications).  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet for the **IRL3102STRL** MOSFET.