20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL3102S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 61A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max at V_GS = 10V, I_D = 30A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.0V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 50nC (typical at V_GS = 10V, V_DS = 10V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRL3102S is a high-performance N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-current switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology:** Provides low conduction losses and high efficiency.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness under inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Optimized for Synchronous Rectification:** Ideal for high-frequency switching applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.