100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL2910S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Suitable for high-power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures reliable performance in switching applications.  
- **TO-220AB Package:** Standard through-hole mounting for easy assembly.  
- **Applications:** Switching regulators, motor control, DC-DC converters, and power management circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRL2910S MOSFET.