100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package **Part Number:** IRL2910PBF  
**Manufacturer:** IR (International Rectifier)  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRL2910PBF is a high-performance N-Channel Power MOSFET designed for efficient switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Low thermal resistance  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRL2910PBF.