100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL2910 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRL2910 is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 30A continuous current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Ensures reliable operation in switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.