30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRL2203NSTRR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:
### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRL2203NSTRR  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 116A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 460A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 3.3mΩ @ VGS = 10V, ID = 58A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Gate Charge (Qg):** 120nC @ VDS = 15V, ID = 58A  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5300pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 530pF  
- **Avalanche Energy (EAS):** 1.4J  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  
### **Description:**  
The IRL2203NSTRR is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in high-power circuits.  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high load currents.  
- **Fast Switching:** Optimized for efficient switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Suitable for both switching and linear applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.