30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRL2203NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRL2203NPBF  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 116A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 464A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 1.7mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 2.2mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (at V_DS = 15V, V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRL2203NPBF is a **N-channel HEXFET® Power MOSFET** designed for high-current, low-voltage applications. It features ultra-low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and low power loss.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves reliability in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced from the official Infineon Technologies datasheet for the IRL2203NPBF.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package