INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS The IRGP4068DPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRGP4068DPBF  

### **Type:**  
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  

### **Voltage Ratings:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CES):** 600V  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GES):** ±20V  

### **Current Ratings:**  
- **Collector Current (I_C @ 25°C):** 75A  
- **Collector Current (I_C @ 100°C):** 48A  

### **Power Dissipation:**  
- **Total Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 300W  

### **Switching Characteristics:**  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 27ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns  
- **Rise Time (t_r):** 27ns  
- **Fall Time (t_f):** 110ns  

### **Thermal Resistance:**  
- **Junction-to-Case (R_thJC):** 0.45°C/W  

### **Operating Temperature Range:**  
- **Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-247AD (3-pin through-hole package)**  

### **Features:**  
- Low V_CE(on) for high efficiency  
- Fast switching speed  
- High current capability  
- Positive temperature coefficient for easy paralleling  
- High ruggedness and reliability  

### **Applications:**  
- Motor drives  
- Power supplies  
- Inverters  
- Industrial applications  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRGP4068DPBF.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS