1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRGP30B120KD-E is a power semiconductor device manufactured by Infineon Technologies (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Part Number:** IRGP30B120KD-E  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 1200V  
- **Current Rating (Ic @ 25°C):** 30A  
- **Current Rating (Ic @ 100°C):** 15A  
- **Power Dissipation (Pd):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (Vge):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce(sat)):** 2.1V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 200ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage applications up to 1200V.  
- **Low Saturation Voltage:** Provides efficient switching with reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** Suitable for industrial and automotive applications.  
- **Temperature Stability:** Maintains performance across a wide temperature range.  
- **Co-packaged Diode:** Includes a freewheeling diode for improved reliability in inductive load applications.  

This IGBT is commonly used in power conversion systems, motor drives, and inverters.

1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package