1200V UltraFast 5-40 kHz Single IGBT in a TO-247AC package The IRGP20B120U-E is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 20 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 12 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1 V (typical at I_C = 20 A)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 24 ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 240 ns (typical)  
- **Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-247 (3-pin)  
- **Technology:** Trench & Field Stop IGBT  
- **Applications:**  
  - Motor drives  
  - Power inverters  
  - UPS (Uninterruptible Power Supplies)  
  - Welding equipment  
  - Renewable energy systems  

### **Features:**  
- Low conduction losses due to Trench & Field Stop technology  
- High-speed switching performance  
- Positive temperature coefficient for easy paralleling  
- Robust short-circuit capability  
- Low EMI noise due to smooth switching behavior  
- Pb-free and RoHS compliant  

This information is sourced directly from Infineon's official documentation for the IRGP20B120U-E IGBT.

1200V UltraFast 5-40 kHz Single IGBT in a TO-247AC package