600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRGB10B60KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 20A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 10A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The IRGB10B60KD is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for power conversion and motor control applications.  
- The device is housed in a TO-263 (D²PAK) package for efficient thermal performance.  

### **Features:**
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power switching.  
- **Temperature-Stable Performance:** Designed for reliable operation across a wide temperature range.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafast anti-parallel diode for improved performance in inductive load applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package