330V PDP Trench IGBT in a D-Pak package The IRG7R313U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 45A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 330W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 180ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRG7R313U is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for power switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for motor drives, inverters, and industrial power supplies.  
- The device features a robust and rugged design for reliable operation in demanding environments.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature-Stable Performance:** Maintains efficiency across a wide temperature range.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an anti-parallel freewheeling diode for improved performance in inductive load applications.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance and mechanical strength.  

This information is strictly factual and derived from the manufacturer's datasheet.

330V PDP Trench IGBT in a D-Pak package