1200V UltraFast Low VCE(ON) trench IGBT in a TO-247AC package The IRG7PH46UD-EP is a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 50A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 330W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The IRG7PH46UD-EP is designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features a trench gate field-stop IGBT technology for improved performance.  
- The module includes an ultrafast soft recovery anti-parallel diode for reduced switching losses.  
- Suitable for motor drives, inverters, and industrial power supplies.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Short-Circuit Withstand Time:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low EMI Noise:** Due to improved switching characteristics.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly design.  
- **High Temperature Operation:** Capable of sustained performance at elevated temperatures.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

1200V UltraFast Low VCE(ON) trench IGBT in a TO-247AC package