IRG6I330UPBF

330V Plasma Display Panel Trench IGBT in a TO-220AB Full-Pak package The IRG6I330UPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRG6I330UPBF  

### **Description:**  
The IRG6I330UPBF is a high-speed, low-loss IGBT designed for power switching applications. It is part of Infineon’s IGBT product line, optimized for efficiency and reliability in various power electronics applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 30A  
- **Maximum Collector Current (I_CM):** 60A (pulsed)  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Suitable for demanding power applications.  
- **Temperature-Stable Performance:** Designed for reliable operation across a wide temperature range.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an anti-parallel freewheeling diode for improved efficiency in switching circuits.  

### **Package Type:**  
TO-247 (3-pin through-hole package)  

### **Applications:**  
- Motor drives  
- Power inverters  
- Switching power supplies  
- Industrial and automotive power systems  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

330V Plasma Display Panel Trench IGBT in a TO-220AB Full-Pak package