600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D-Pak package The IRG4RC10UTR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRG4RC10UTR  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 14A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 8.8A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 38W  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 18ns (typical)  
  - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 100ns (typical)  
  - Rise Time (t_r): 30ns (typical)  
  - Fall Time (t_f): 80ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low saturation voltage (V_CE(sat)).  
- High input impedance and fast switching speed.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Conduction Losses:** Improves efficiency in power circuits.  
- **High Current Capability:** Suitable for medium-power applications.  
- **Robust Design:** Features built-in protection against overcurrent and overheating.  
- **Surface-Mount Package (TO-252):** Compact and suitable for automated assembly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRG4RC10UTR.

600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D-Pak package