600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a D-Pak package The IRG4RC10STR is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 13A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical) @ I_C = 13A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 25ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient power handling.  
- **High Current Capability:** Supports high current loads.  
- **Robust Design:** Suitable for industrial and power electronics applications.  
- **Isolated Package (TO-247AC):** Provides electrical isolation for improved thermal performance.  
- **Applications:** Commonly used in motor drives, inverters, UPS systems, and power supplies.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a D-Pak package