1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH40UD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Voltage Ratings:**  
  - Collector-Emitter Voltage (VCES): **1200V**  
  - Gate-Emitter Voltage (VGES): **±20V**  
- **Current Ratings:**  
  - Collector Current (IC): **40A (at 25°C), 24A (at 100°C)**  
  - Pulsed Collector Current (ICM): **80A**  
- **Power Dissipation:**  
  - Total Power Dissipation (PD): **200W (at 25°C)**  
- **Switching Characteristics:**  
  - Turn-On Delay Time (td(on)): **50ns (typical)**  
  - Turn-Off Delay Time (td(off)): **400ns (typical)**  
  - Rise Time (tr): **80ns (typical)**  
  - Fall Time (tf): **130ns (typical)**  
- **Thermal Resistance:**  
  - Junction-to-Case (RθJC): **0.75°C/W**  
- **Operating Temperature Range:**  
  - **-55°C to +150°C**  
### **Descriptions:**  
- The IRG4PH40UD is a high-speed, high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is housed in a TO-247AC package for effective heat dissipation.  
### **Features:**  
- **Ultrafast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage (VCE(sat)):** Ensures reduced conduction losses.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances switching performance.  
- **High Current Capability:** Suitable for demanding power applications.  
This IGBT is commonly used in inverters, motor drives, and power supplies.