Leaded 1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH40UD-E is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 40A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 200ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4PH40UD-E is a high-speed, rugged IGBT designed for high-power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for inverters, motor drives, and industrial power systems.  

### **Features:**  
- **Ultra-Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 40A at 25°C.  
- **Built-In Fast Recovery Diode:** Enhances switching efficiency.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Rugged Design:** Robust construction for industrial applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Leaded 1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package