1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PH30KPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 24A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical) @ I_C = 24A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 500ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247AC  

### **Descriptions:**
- The IRG4PH30KPBF is a high-speed, rugged IGBT designed for high-voltage switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for power converters, motor drives, and inverters.  
- The device is optimized for fast switching and high efficiency in industrial and automotive applications.  

### **Features:**
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses in high-frequency circuits.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Robust Construction:** TO-247AC package ensures high thermal performance.  
- **Temperature-Stable Operation:** Maintains performance across a wide temperature range.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRG4PH30KPBF.

1200V UltraFast 4-20 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package