IRG4BC30U-S

600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC30U-S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 14A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 8.8A  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 14A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 85ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The IRG4BC30U-S is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications.  
- It features a rugged, high-efficiency design suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  
- The device is optimized for fast switching and low conduction losses.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Temperature-Stable Operation:** Maintains performance across a wide temperature range.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultra-fast anti-parallel diode for improved efficiency.  

The IRG4BC30U-S is packaged in a TO-220AB through-hole package for easy mounting.  

(Note: All specifications are based on manufacturer datasheets.)

600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package