IRFZ14

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ14 is an N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRFZ14 is a high-speed N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is built using advanced HEXFET® technology for low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 10A continuous drain current.  
- **Robust Design:** Avalanche energy rated for rugged performance.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package