IRFW820BTM

500V N-Channel B-FET / Substitute of IRFW820A The IRFW820BTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (Fairchild Semiconductor)  
- **Part Number:** IRFW820BTM  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 450pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 75pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Rugged and reliable construction for industrial and power supply applications.  
- Avalanche energy specified for enhanced durability.  
- Suitable for switching power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

These details are based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

500V N-Channel B-FET / Substitute of IRFW820A