200V N-Channel MOSFET The IRFW640B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** IRFW640B  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.18Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Rise Time (tr):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Description:**
The IRFW640B is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.
### **Features:**
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220AB Package for Easy Mounting**  
This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and other high-voltage switching applications.