IRFU9N20D

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU9N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFU9N20D  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFU9N20D is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** – Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability** – Supports high continuous and pulsed currents.  
- **Avalanche Energy Rated** – Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability** – Reduces susceptibility to false triggering.  
- **TO-220AB Package** – Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet. For detailed application notes and testing conditions, refer to the original IR documentation.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package