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IRFU224 from IOR,International Rectifier

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IRFU224

Manufacturer: IOR

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFU224 IOR 20 In Stock

Description and Introduction

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU224 is a power MOSFET module manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDSS):** 200V  
- **Current Rating (ID):** 44A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 176A  
- **Power Dissipation (PD):** 300W (at 25°C case temperature)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.075Ω (max at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3000pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFU224 is a high-performance N-channel power MOSFET module designed for high-current, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency and reduces power loss.  
- **High Current Handling:** Suitable for demanding power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Isolated Package:** Ensures electrical isolation for improved thermal performance.  

For exact application details, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

Application Scenarios & Design Considerations

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFU224 IR 309 In Stock

Description and Introduction

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU224 is an N-Channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 21A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 84A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 45W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 650pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 210pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFU224 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**
- Low gate charge for efficient switching  
- High current handling capability  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package

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